报告题目：氮化硅集成光量子压缩芯片

报告人：聂亮 博士（中山大学）

报告时间：2026.9.8（周二）上午10:30

报告地点：光电所二层报告厅

报告摘要：  

高性能单光子源与多光子纠缠资源是实现可扩展光量子信息技术的重要基础。基于单量子发射体的固态量子光源因具备确定性光子产生、高效率以及片上集成潜力，成为当前量子光学领域的重要研究方向。本报告以 In(Ga)As 量子点微柱腔体系为研究平台，围绕高性能量子点单光子源构建及光子–自旋界面开展研究。通过引入 δ 掺杂技术调控量子点局域电荷环境与内建电场，实现了量子点正电荷态的稳定制备；结合微柱腔 Purcell 增强效应，提升了量子点体系的光子提取效率与辐射性能。实验采用 LA 声子辅助激发方案，实现激发光与量子点发射光的能量分离，有效抑制激光背景，同时保持自旋与光子的偏振关联。利用正电激子体系中较长的空穴自旋退相干时间以及微腔增强的光–物质相互作用，实现了高效率、高保真的自旋–双光子三体纠缠态制备，并进一步探索了该体系生成线性多光子簇态的能力。

报告人简介：

聂亮，本科毕业于山西大学光电信息科学与工程专业（2015–2019），获山西大学光学硕士学位（2019–2022），后于中山大学获得光学博士学位（2022–2026）。主要从事微纳光子学、半导体量子光学及固态腔量子电动力学领域研究，重点围绕高性能微纳量子光源的制备与调控、低温量子光学测量以及半导体量子点光子–自旋界面研究开展工作。目前已发表学术论文4篇，其中以第一作者身份在《Science Bulletin》发表论文1篇。

责编丨冯   伟

二审丨曲睿娟

三审丨高   星