报告题目：氮化硅集成光量子压缩芯片

报告人：刘帅  硅光高级专家（国家信息光电子创新中心）

报告时间：2026年9月4日(周五)上午10:00

报告地点：光电所二层报告厅

报告摘要：  

连续变量压缩光是量子精密测量、量子传感、量子通信等量子信息处理应用中重要的量子资源。相比传统分立光学系统，集成光子芯片能够显著提升压缩光源的稳定性、可扩展性和集成度，为连续变量量子技术的规模化应用提供重要技术路径。本报告将围绕超低损耗氮化硅集成光量子芯片展开，介绍兼容8英寸商用CMOS工艺线的超低损耗氮化硅晶圆级制备技术，实现低至1.5 dB/m的波导传播损耗；进一步介绍基于高Q值氮化硅微腔的片上连续变量压缩光产生与测量方案，实现晶圆级稳定测量并获得超过3 dB的高质量压缩光。此外，报告将讨论面向大规模制造的薄膜氮化硅量子光源方案及其与8英寸、12英寸商用硅光工艺线兼容的技术路径，探讨低损耗、高性能量子光源从实验室器件向晶圆级制造、大规模集成及实际应用发展的关键问题。

报告人简介：

刘帅，国家信息光电子创新中心（NOEIC）硅光高级专家。硕士、博士毕业于哈尔滨工业大学（深圳），先后在美国亚利桑那大学和密歇根大学从事科研工作，研究方向主要包括超低损耗氮化硅光子芯片、片上压缩光源、集成非线性光学及晶圆级大规模量子光芯片制备。作为主要科研人员参与美国NSF Center for Quantum Networks（CQN）、NSF Quantum-Enhanced Inertial Measurement Unit（QEIMU）以及美国能源部 Superconducting Quantum Materials and Systems Center 等多个国家级量子信息与集成光子学研究项目。长期从事超低损耗硅基光学微腔、氮化硅集成光子学以及连续变量量子压缩光芯片及其应用研究，在 Light: Science & Applications、Optica、Laser & Photonics Reviews、Advanced Materials、Physical Review X、CLEO等期刊顶会发表论文65篇，其中第一作者/共同第一作者论文27篇；申请美国发明专利5项，已授权3项。

责编丨冯   伟

二审丨曲睿娟

三审丨高   星