报告题目：光通信用新型氮化物光电器件研究

报告人：赵丽霞 教授（天津工业大学）

报告时间：2021年5月31日（周一）下午4:00

报告地点：光电所二层报告厅

摘要：

作为直接带隙半导体材料，宽禁带GaN基半导体已被广泛应用于照明、显示等光电领域。可见光通信（VLC），通过在LED光源上加载人眼无法感测的高速调制信号来进行信息传输，可以兼顾照明和通信需求，是GaN基LED在超越照明方面最具前景的应用之一。相比传统的射频无线通信技术，VLC具有频带自由、保密性高、无电磁干扰等优点，在室内定位、安全通信等诸多领域具有广阔的应用前景。目前商用GaN基LED研究和设计都围绕光效问题，但发光效率越高，带宽反而降低，且由于荧光粉的余晖现象，白光LED带宽更低，不能满足需求。探测方面，虽然Si基探测器比较成熟，但光谱响应较宽，须采用窄带滤光片来实现光谱选择性，不仅系统更加复杂，价格昂贵，还降低了探测峰值的透过率，影响了系统信噪比。另外，随着各种GaN基分立器件的日益成熟，已呈现出向单芯片集成方向发展的趋势。本次报告中，将介绍我们在光通信用新型氮化物发光、探测及适用于片上集成的回音壁激光器等方面的研究进展。

报告人简介：

赵丽霞，天津工业大学教授，博士生导师，电气与电子工程学院院长，天津市电气装备智能控制重点实验室主任，中国科学院半导体研究所兼职研究员。1998年山西大学物理系本科毕业后，保送到中国科学院固体物理研究所攻读研究生，2005年博士毕业于英国诺丁汉大学物理天文学院，随后到英国剑桥大学材料冶金学院GaN研究中心工作，2007至2009年初在英国FORGE-EUROPA工作，2009年加入中国科学院半导体研究所，同年入选中国科学院第一届“引进杰出技术人才”计划，是科学院青促会首批会员，2020年获中国电子学会优秀科技工作者荣誉称号，并入选天津市创新人才推进计划“中青年科技创新领军人才”，是全国微束分析标准化技术委员会表面化学分技术委员会委员。目前主要从事宽禁带氮化物半导体器件及可靠性研究。先后主持承担科技部、国家自然科学基金委等科研项目14项。累计在IEEE Electron. Dev. Lett、Advanced Optical Materials、Appl. Phys. Lett.、Nanoscale、Nano Letter等发表学术论文110余篇，他引2400余次，授权美国发明专利2项，中国发明专利20项。